IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達(dá)林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，具備易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關(guān)斷晶閘管），是目前發(fā)展為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機調(diào)速、 UPS 及逆變焊機當(dāng)中。

IGBT模塊具有節(jié)能，穩(wěn)定的優(yōu)點，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵钠骷?。因此，它也被稱為市場上的電子設(shè)備的CPU。特別是當(dāng)前環(huán)保概念普遍存在，越來越受到市場的認(rèn)可，更多的是[敏感詞]戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)布局，如軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天和新能源。目前的檢測方法很多，但越來越受到市場青睞的當(dāng)屬X-RAY檢測方式，其采用X光直接穿透產(chǎn)品表面，直接透視產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)，通過對產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的分析來快速鎖定缺陷位置與受損面積尺寸。

IGBT中最常見的缺陷是氣隙和鍵合喪失，X射線成像能夠成功探測焊料中的空隙。其他常見的缺陷包括陶瓷筏的翹曲或傾斜（兩者都會改變熱流并使芯片破裂）以及芯片下方焊料中的孔隙率。可以在封裝之前或之后通過X射線成像檢查IGBT模塊。如果在封裝前對它們進行了成像檢測，則有問題的部件可以再次維修。

X射線檢測的[敏感詞]優(yōu)勢在于檢測結(jié)果直觀，通過圖像展現(xiàn)IGBT內(nèi)部的缺陷，軟件自動識別判定更是提高了X射線檢測的準(zhǔn)確率，降低了人工的誤判率，在IGBT生產(chǎn)制造過程中既保證了產(chǎn)品質(zhì)量又在研發(fā)設(shè)計階段提供了可靠的改進依據(jù)。